ТОР 5 статей: Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы КАТЕГОРИИ:
|
Схемы для включения транзистора с ОЭСхема на рис. 3.37 может быть использована и при включении транзистора с ОЭ. Для этого ток эмиттера IЭm надо выразить через ток базы IБm. В соответствии со схемой на рис. 3.37 для тока коллектора справедливо , (3.55) кроме того: IЭm=IБm+IКm, тогда или (3.56) где - дифференциальный коэффициент передачи тока для схемы с ОЭ; (соотношение аналогичное ). Так как , то (3.57) Дифференциальный коэффициент передачи тока h21Э может отличаться от статического b на десятки процентов, но технологический разброс еще больше и в последнее время между ними часто не делают различия, считая h21Э» b. - выходное сопротивление транзистора в схеме ОЭ (в десятки раз меньше, чем rК в схеме с ОБ. С учетом выражения (3.56) Т-образная, малосигнальная эквивалентная схема для включения с ОЭ приобретает вид (рис. 3.38). Для схемы с общем эмиттером часто используют и П-образную эквивалентную схему (рис 3.39). - статическая крутизна транзистора; остальные элементы соответствуют введенным ранее для Т-образных схем. Резистор, показанный пунктиром, учитывает влияние модуляции ширины базы на дополнительный ток коллекторного перехода. Он имеет порядок rК и в практических расчетах не учитывается. П-образная схема удобна для расчетов методом узловых потенциалов и используется, например, в компьютерных программах. Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:
|