Главная | Случайная
Обратная связь

ТОР 5 статей:

Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия

Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века

Ценовые и неценовые факторы

Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка

Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы

КАТЕГОРИИ:






ОСНОВНЫЕ ЗАКОНЫ И ФОРМУЛЫ. · Напряженность E и потенциал φ поля точечного заряда q:




· Напряженность E и потенциал φ поля точечного заряда q:

, .

· Связь между напряженностью и потенциалом поля:

,

где i, j, k– единичные орты декартовых координатных осей.

· Электрический момент диполя (дипольный момент):

p= |q|l ,

где l – плечо диполя.

· Напряженность поля, создаваемого равномерно заряженной бесконечной плоскостью

,

где n – нормаль к плоскости.

· Напряженность поля, создаваемого равномерно заряженной сферой радиуса R с зарядом q на расстоянии r от центра сферы:

E = 0, при r < R (внутри сферы),

, при rR (вне сферы).

· Напряженность поля, создаваемого объемно заряженным шаром радиуса R с зарядом q на расстоянии r от центра шара:

, при r < R (внутри шара),

, при rR (вне шара).

· Напряженность поля, создаваемого равномерно заряжен­ным бесконечным цилиндром радиуса R на расстоянии r от оси цилиндра:

E = 0, при r < R (внутри цилиндра),

, при rR (вне цилиндра).

· Работа, совершаемая силами электростатического поля при перемещении заряда q из точки 1 в точку 2:

A12 = q (φ1φ2) или .

· Напряженность электрического поля у поверхности проводника:

En = ,

где σ поверхностная плотность зарядов.

· Поляризованность:

где V – объем диэлектрика; pn – дипольный момент n-ой молекулы.

· Поток поляризованности P через замкнутую поверхность S:

,

где - алгебраическая сумма связанных зарядов внутри этой поверхности

· Вектор D и теорема Гаусса для него:

D = ε0E + P, ,

где q – алгебраическая сумма сторонних зарядов внутри замкнутой поверхности.

· Условия на границе раздела двух диэлектриков:

P2nP1n = - , D2n - D1n = σ, E2τ = E1τ ,

где и σ – поверхностные плотности связанных и сторонних зарядов, а орт нормали n направлен из среды 1 в среду 2.

· Для изотропных диэлектриков:

P = κεE , D = ε0εE , ε = 1 + κ.

· Электроемкость уединенного проводника:

C = ,

где Q – заряд, сообщенный проводнику; φ – потенциал проводника.

· Емкость плоского конденсатора:

C = ,

где S – площадь каждой пластины конденсатора; d – расстояние между пластинами.

· Емкость системы конденсаторов при последовательном и параллельном соединении:

, ,

где Cn – емкость n-го конденсатора; N – число конденсаторов.

· Энергия уединенного заряженного проводника:

.

· Энергия взаимодействия системы точечных зарядов:

,

где φn – потенциал, создаваемый всеми зарядами, кроме n-го, в той точке, где находится заряд Qn.

· Энергия заряженного конденсатора:

,

где Q – заряд конденсатора; C – его емкость; Δφ – разность потенциалов между обкладками.

· Объемная плотность энергии:

.




Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:

vikidalka.ru - 2015-2019 год. Все права принадлежат их авторам! Нарушение авторских прав | Нарушение персональных данных