ТОР 5 статей: Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы КАТЕГОРИИ:
|
ОСНОВНЫЕ ЗАКОНЫ И ФОРМУЛЫ. · Напряженность E и потенциал φ поля точечного заряда q:· Напряженность E и потенциал φ поля точечного заряда q: , . · Связь между напряженностью и потенциалом поля: , где i, j, k – единичные орты декартовых координатных осей. · Электрический момент диполя (дипольный момент): p = |q| l, где l – плечо диполя. · Напряженность поля, создаваемого равномерно заряженной бесконечной плоскостью , где n – нормаль к плоскости. · Напряженность поля, создаваемого равномерно заряженной сферой радиуса R с зарядом q на расстоянии r от центра сферы: E = 0, при r < R (внутри сферы), , при r ≥ R (вне сферы). · Напряженность поля, создаваемого объемно заряженным шаром радиуса R с зарядом q на расстоянии r от центра шара: , при r < R (внутри шара), , при r ≥ R (вне шара). · Напряженность поля, создаваемого равномерно заряженным бесконечным цилиндром радиуса R на расстоянии r от оси цилиндра: E = 0, при r < R (внутри цилиндра), , при r ≥ R (вне цилиндра). · Работа, совершаемая силами электростатического поля при перемещении заряда q из точки 1 в точку 2: A 12 = q (φ 1 – φ 2) или . · Напряженность электрического поля у поверхности проводника: En = , где σ поверхностная плотность зарядов. · Поляризованность: где V – объем диэлектрика; p n – дипольный момент n -ой молекулы. · Поток поляризованности P через замкнутую поверхность S: , где - алгебраическая сумма связанных зарядов внутри этой поверхности · Вектор D и теорема Гаусса для него: D = ε 0 E + P, , где q – алгебраическая сумма сторонних зарядов внутри замкнутой поверхности. · Условия на границе раздела двух диэлектриков: P 2 n – P 1 n = - , D 2 n - D 1n = σ, E 2 τ = E 1 τ , где и σ – поверхностные плотности связанных и сторонних зарядов, а орт нормали n направлен из среды 1 в среду 2. · Для изотропных диэлектриков: P = κε E, D = ε 0 ε E, ε = 1 + κ. · Электроемкость уединенного проводника: C = , где Q – заряд, сообщенный проводнику; φ – потенциал проводника. · Емкость плоского конденсатора: C = , где S – площадь каждой пластины конденсатора; d – расстояние между пластинами. · Емкость системы конденсаторов при последовательном и параллельном соединении: , , где Cn – емкость n -го конденсатора; N – число конденсаторов. · Энергия уединенного заряженного проводника: . · Энергия взаимодействия системы точечных зарядов: , где φn – потенциал, создаваемый всеми зарядами, кроме n -го, в той точке, где находится заряд Q n. · Энергия заряженного конденсатора: , где Q – заряд конденсатора; C – его емкость; Δ φ – разность потенциалов между обкладками. · Объемная плотность энергии: . Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:
|