Главная

Популярная публикация

Научная публикация

Случайная публикация

Обратная связь

ТОР 5 статей:

Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия

Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века

Ценовые и неценовые факторы

Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка

Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы

КАТЕГОРИИ:






Основні параметри пам'яті




Основними операціями в пам'яті є записування і зчитування певної одиниці інформації, наприклад, байта. Ці операції називаються також зверненням до пам'яті. Пам'ять характеризується інформаційною ємкістю, фізичним об'ємом, питомою ємкістю і вартістю, шириною вибірки, споживаною потужністю і швидкодією.

Інформаційна ємкість Е є максимальним об'ємом даних, який може одночасно зберігатися в пам'яті. Ємкість виражається в бітах, байтах (8 біт = 1 байт), кілобайтах (103 байт = 1 Кбайт), мегабайтах (103 Кбайт =1 Мбайт) і гігабайтах (103 = 1 Гбайт).

Питома ємкість визначається відношенням інформаційної ємкості ЗП до його фізичного об'єму. Питома вартість – це відношення вартості ЗП до його інформаційної ємкості. Ширина вибірки представляється числом розрядів, які записується до ЗП або зчитується з нього за одне звернення.

Швидкодія ЗП вимірюється часом записування і зчитування, а також тривалістю відповідних ним циклів. Час записування tWR - це інтервал між моментами появи керуючого сигналу записування і установкою ЯП в стан, що задається вхідними сигналами. Час зчитування - це інтервал між моментами появи керуючого сигналу читання і даних на виході пам'яті. Мінімально допустимий інтервал між послідовними читаннями tCYR і записуваннями tCYW утворює відповідний цикл. Тривалість циклів може перевищувати час читання або записування, оскільки після цих операцій необхідна додаткова затримка для встановлення початкового стану пам'яті. Як тривалість циклу звернення до пам'яті беруть величину tCY =mах(tCYW, tCYR).

Динамічна пам'ять

У динамічній пам'яті типу DRAM інформація зберігається у вигляді зарядів на дуже малій ємкості С3=0,01...0,05 пФ, яка створена між стоком і підкладкою МОН-транзистора (рис. 6.2).

 
 

 

Рис. 6.2. Динамічна однотранзисторна ЕП

Стік польового транзистора з ізольованим затвором індукованим каналом n-типу не має зовнішнього виведення. Для записування інформації на лінію вибірки ЛВi подається високий рівень напруги, яка відкриває транзистор Тij. В результаті створюється провідний канал, і рівень напруги на розрядній лінії записування-зчитування ЛЗСJ визначає стан конденсатора С3: заряджений при високому рівні (стан “1”) і розряджений при низькому (стан "0")

 
 

Фрагмент ЗП (рис. 6.3) показує дві динамічні ЕП в одному стовпчику, підсилювач зчитування ПЗЧ, а також ключі К1 і К0 відповідно для записування одиниці і нуля.

 

Рис. 6.3. Фрагмент динамічного ЗП: а - схема; б – тимчасові діаграми зчитування

До лінії ЛЗЗj підключено багато транзисторів. Її довжина визначається кількістю рядків. Вона має велику ємкість Сл, яка багато разів перевищує ємкість С3 для запам'ятовуючого елементу. Перед зчитуванням лінія ЛЗЗj (власна ємкість Сл) заздалегідь заряджає до рівня UCC/2. Можливі й інші значення у ряді мікросхем пам'яті. При зчитуванні нуля (сигнал ЛВi =Y1) лінія ЛЗСj підключається до ємності С3 з нульовим потенціалом, тому частина заряду ємкості Сл перетікає в ємність С3, напруга на них вирівнюється і потенціал лінії ЛЗСj знижується на значення . Це відповідає сигналу логічного 0, який поступає до ПЗЧ. При прочитуванні одиниці, навпаки, напруга на ємкості С3 спочатку дорівнює значенню UCC. При підключенні ємкості С3 до лінії ЛЗСj частина її заряду передається на ємкість Сл і напруга на лінії ЛЗСj збільшується що відповідає тому, що поступає на ПЗЧ сигнал, відповідний логічній 1.

 






Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:

vikidalka.ru - 2015-2024 год. Все права принадлежат их авторам! Нарушение авторских прав | Нарушение персональных данных