Регенерація динамічної пам'яті

Запам'ятовуючим елементом динамічної пам'яті є конденсатор З, який може знаходитися в зарядженому стані – логічна «1», або в розрядженому – логічний «0». Ємкість конденсатора частки Пф (10 ^–12 Ф).

Оскільки конденсатори надзвичайно малі, то велика вірогідність мимовільної зміни їх стану із-за «паразитних» витоків і наведень. Для виключення втрати даних періодично проводяться цикли регенерації, які в сучасних модулях ініціюються спеціальними мікросхемами.

Елементи динамічної пам'яті утворюють так звану сторінку, що складається з рядків і стовпчиків. При зчитуванні даних зміст однієї сторінки цілком перенесенняиться в буфер, який реалізований на елементах статичної пам'яті. Після цього в рядку прочитуються значення (0 або 1) потрібної комірки, а вміст буфера знов записується в колишній рядок динамічної пам'яті. Такі пересилки даних здійснюються шляхом зміни стану конденсаторів комірок, тобто відбувається процес заряду. Вона складається з регулярних циклічних звернень до q рядків матриці ЕП по адресах, які формуються зовнішнім або внутрішнім лічильником адреси. Такі цикли називаються холостими, оскільки в них не відбувається обміну інформацією.

Максимальний період звернення до кожного рядка для гарантованого зберігання інформації в сучасних мікросхемах пам'яті знаходиться в межах 8-64 мс. Залежно від об'єму і організації матриці пам'яті для одноразової регенерації потрібно 512, 1024, 2048 або 4096 циклів звернень (тобто, по числу рядків q).

Основні типи динамічної пам'яті представлено нижче.

Першою, такою, що знайшла застосування в РС модифікацією DRAM, була пам'ять, яка працювала в режимі швидкого сторінкового обміну FPM (Fast Page Mode) або просто в режимі сторінкового обміну (Page Mode).

Унаслідок істотної відмінності інтерфейсу від традиційної асинхронної пам'яті мікросхеми SDRAM не можуть бути встановлені в модулі SIMM. Вони застосовуються в слотах DIMM або встановлюються прямо на системну (або графічну) плату.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: