Возбудимость мембраны различных частей нейрона

В нейроне подавляющее большинство нейрональных синапсов находится на дендритах нейрона. Однако наиболее эффективно вызывают возбуждение нейрона синаптические контакты, расположенные на теле нейрона. Это связано с тем, что постсинаптические мембраны этих синапсов располагаются в непосредственной близости от места первичного возникновения ПД, располагающегося в аксонном холмике (место отхождения аксона от тела). Близость соматических синапсов к аксонному холмику обеспечивает участие их возбуждающего постсинаптического потенциала (ВПСП) в механизмах генерации ПД (некоторые авторы называют их генераторными синапсами). Также большой возбудимостью обладает мембрана в местах первого ветвления крупных дендритов. Чем ближе конкретный синапс к этим точкам, тем больше его вклад в управление генерацией ПД. Одного ТПСП, возникшего рядом с аксональным холмиком, может оказаться достаточно для прекращения проведения сигнала.

Генераторный пункт нейрона, т. е. место возникновения ПД - аксонный холмик (но ПД также может возникать в перехватах Ранвье, и на части мембраны дендритов). Синапсы на нем отсутствуют, отличительной особенностью мембраны аксонного холмика является ее высокая возбудимость, в 3 — 4 раза превосходящая возбудимость сома-дендритной мембраны нейрона, что объясняется более высокой концентрацией Na-каналов на аксонном холмике, отсутствием на нем миелиновой оболочки. ВПСП достигает аксонного холмика, обеспечивая здесь уменьшение мембранного потенциала до критического уровня. В этот момент в аксонном холмике возникает ПД.

Роль дендритов в возникновении возбуждения до сих пор дискутируется. Дендритные синапсы удалены на значительное расстояние от генераторного пункта нейрона, по этой причине их ВПСП не могут вызвать там должную деполяризацию и обеспечить генерацию ПД. Считают, что синаптический аппарат дендритов проявляет себя при одновременном поступлении возбуждения к значительному числу дендритных синапсов. При этом суммарный дендритный ВПСП, изменяя мембранный потенциал генераторного пункта на подпороговом уровне, лишь делает возбудимость большей или меньшей в зависимости от временных и амплитудных характеристик колебаний мембранного потенциала генераторного пункта относительно величины критического уровня деполяризации.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: