Акцепторные примеси в полупроводниках.

Донорные примеси в полупроводниках.

Siпомещен в узельное помещение помещен атом таблицы Мендлеева 5 подгруппы.5 электрон на электроорбитале вокруг атома фосфора радиус этой орбиты может охватывать несколько ближайших соседей атомов фосфора.Вследствие того что электрон нах-ся на отдален. орбите атома фосфора можно рассматривать как ион положит.Заряд.Электрон атома фосфора переходит в зону проводимости.Примесные атомы отдающие электроны в зону проводимости наз-сядонорами.У атомов доноров на внешн. электрон. орбите доноров больше чем у атомов образующий кристалическую решетку.Для легирования полупроводников Si (As;P).

Технолог. операция-введение примесей в кристалназ-ся –легирование.Если легируем донорами то получаем электронный вид проводимости.Полупроводник имеющий электрон тип проводимости наз-сяN-проводников.

Акцепторные примеси в полупроводниках.

При образованн. Ковалентной связи не хватает одного электрона,этот электрон захватываеться на валентной связи из тетраэдов (окружающих) и содержащ. Атом бор.Вокруг атома бора существует незаполнен. валент. связь которую мы называем дырку,атом бора принимает отрицательный заряд.Примесные атомы захватывающие эл-ны для образов. валентной связи –наз-сяакцептором.Акцепторы создают энергетические уровни запрещенной зоны.Полупроводник легирования акцепторами имеет дырочный тип проводимости иначе его называют p-тип проводимости.Бор,алюминий распространяется акцептором в Si.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: