Для студентов специальности 210201

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ПРИБОРОСТРОЕНИЯ И ИНФОРМАТИКИ

Кафедра ПР-7 «Персональная электроника»

УТВЕРЖДАЮ

Заведующий кафедрой ПР-7

__________Сахаров Ю.С.

«___»____2007г.

ПЕРЕЧЕНЬ

Контрольных вопросов и методические рекомендации

Для подготовки к экзамену

по дисциплине 2729 «Физические основы микроэлектроники»

для студентов специальности 210201

Обсужден на заседании кафедры

«__»___________2007г.

Протокол № __

МГУПИ – 2007г.

СОДЕРЖАНИЕ:

I. Перечень контрольных вопросов для подготовки к экзамену – программа экзамена:

1. Кристаллическая структура твердых тел.

2. Классическая теория электропроводности твердых тел.(атомная структура и как появляются свободные нос заряда под воздействием фотона, ТЕРМИНОЛОГИЯ))

3. Зонная теория твердых тел. Уравнение Шредингера.(изобразить зонную структуру твердого тела, с указанием зон, и объяснить как появляются свободные носители заряда)

4. Электрон в периодическом потенциальном поле.

5. Эффективная масса носителей заряда. Электроны и дырки.

6. Зонная структура металлов, диэлектриков и полупроводников.(продолжение 3–го вопроса, показать зонную структуру. На основе пп показать урони, и как в соответствии уровней формируется проводимость,ИОН???)

7. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Акцепторная и донорная примеси.(--\\--)

8. Уровень Ферми в полупроводниках.(показать расположение в собств и примесных, физ смысл)

9. Основные и неосновные носители заряда.(сточки зрени различии их концентрации)

10. Законы распределения носителей заряда.

11. Концентрация носителей заряда. Соотношение действующих масс.

12. Подвижность носителей заряда и удельная проводимость полупроводников.

13. Связь проводимости с шириной запрещенной зоны.(продолжение ширины запр зоны)

14. Рекомбинация носителей заряда. Рекомбинационное уравнение.(термин рекомбинация)

15. Диффузия носителей заряда. Диффузионная длина.(качественный смысл диффузии, причина диффузии, смысл диффузионной длинны)

16. Основные механизмы движения носителей заряда.(физический смысл токовых процессов, причинная направленность, причины и носители заряда – 2 шт. от двух типов токов, диффузионных [физ-хим свойства] и дрейфовых токов[элетричесакая природа])!!!!

17. Уравнение непрерывности для носителей заряда.

18. Фотопроводимость полупроводников. Фоторезисторы.(качественная физика)

19. Люминесценция полупроводников и приборы на ее основе.(кач. процесс)

20. Эффект Холла и приборы на его основе.

21. Эффект Ганна и приборы на его основе.

22. Контактные явления в полупроводниках. Понятие p-n перехода и технология его изготовления.

23. Контактная разность потенциалов p-n перехода.

24. Равновесное состояние p-n перехода.(24 и 26 качественная физика: равнов сост-в момент начального кантакта, p и n области, в следствии разности концентрации однотипных носителей заряда=> процесс диффузии => обеднение приконтактной области, в ней есть неподвижные ионы примеси, и они образуют электрическое поле, которое препятствует продолжению диффузионного тока. При приложении внешнего смещения….)!!!!!!!!

25. Резкий и плавный p-n переходы. Толщина обедненного слоя.

26. Неравновесное состояние p-n перехода. Прямое и обратное включение p-n перехода.

27. Идеальная вольт-амперная характеристика p-n перехода.(27 и 28 прямая вах не линейная, в обратном направление – линейная вах.)

28. Реальная вольт-амперная характеристика p-n перехода.

29. Пробой p-n перехода и его механизмы.!!!!!(обратимый и необратимый пробои)

30. Барьерная и диффузионная емкости p-n перехода. (емкость следствие наличия заряда [инжектированные-при прямом смещении][при обратном смещении-заряды не подвижных носителей])

31. Эквивалентная электрическая схема диодов.

32. Высокочастотные и импульсные свойства диодов.

33. Контакт металл-полупроводник и его свойства. (от уровней ферми, «соотношения при некой замене картинки, и сравнение уровней»)

34. Диоды Шоттки.(в таких контакта нет неподвижных носителей заряда??)!!!

35. Фотодиоды. (увеличение обратного тока pn-перехода зависит от…..испол обратная ветвь вах)

36. Светодиоды. Оптроны. (обратный процесс- за счет направленной рекомбинации)

37. Варикапы.(переменная емкость, емкосные свойства в качестве управляемой области, управление обратным напряжением –электронами)

38. Опорные диоды (стабилитроны).(на основе лав пробоя изобразить вах)

39. Структура и энергетические диаграммы биполярного транзистора.

40. Механизмы движения носителей заряда в биполярном транзисторе.(!!!!!!!!!!!базовый вопрос, схма работы БПТ)

41. Основные физические параметры биполярного транзистора (коэффициенты инжекции, переноса, передачи тока). (1-эффективность инжекции,отношение полезного к общему, 2-переход база колектор эмиторныйц ток минус базовый,3-характеризует эффективность всего кпд)

42. Схемы включения транзистора.

43. Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора.(обратный ток – дрейфовый отличающиеся от обычного пн-перехода, из-за инжекции в базу, т.е. есть своб носители заряда и есть электрическое поле; особенность выходных ВАХ (полосочки горизонтальные) которые искривлены неподвижными ионами примели)

44. Т-образная эквивалентная электрическая схема биполярного транзистора.

45. Эквивалентная схема биполярного транзистора как четырехполюсника.

46. Параметры эквивалентной схемы биполярного транзистора.(физ смысл кусочков(составляющих) схемы бпт)

47. Зависимость параметров эквивалентной схемы биполярного транзистора от режима смещения и температуры.

48. Высокочастотные и импульсные свойства биполярных транзисторов.

49. Разновидности и типы биполярных транзисторов.

50. Физические свойства, параметры и вольт-амперные характеристики приборов p-n-p-n типа.

51. Эффект электрического поля в полупроводниках.

52. Полевые транзисторы с p-n переходом в качестве затвора. Физика работы и структура поля.(52-53- управляемые пп-ые сопротивления, затвор канал, затвор: обратно смещённый pn-переход,и мдп структуры- за счет электростатической индукции. В зависимости от подачи индуцируется в канале противоположные носители заряда.)

53. МДП-транзисторы. Физика работы и структура поля.

54. Режимы обеднения и обогащения в МДП-транзисторах.

55. Эквивалентная электрическая схема полевых транзисторов.

56. Вольт-амперные характеристики полевых транзисторов.(по скольку в полевых транзисторах отсутствуют практически входные токи. используются выходные вахи, симейства выходных вах,линейный вахи зав от напряжения на затворе…. Затем режим насыщения!МДП-они всегда усилители напряжение, исп в качестве ключей(вкл-выкл))

57. Основные параметры полевых транзисторов. (положит и отриц……отриц-емкостной вход)

58. Высокочастотные и импульсные свойства полевых транзисторов.

59. Разновидности полевых структур, особенности их применения в интегральной схемотехнике.

60. Физические основы и перспективы развития основных элементов микроэлектроники.

II. Перечень заданий для подготовки к экзамену:

1. Темы и задания к выполнению практических и лабораторных работ (приве­дены в методических указаниях к лабораторным работам).

2. Темы и задания к курсовому проекту(приве­дены в методичес­ких указаниях к курсовому проектированию).

3. Лекционные материалы (приведены в конспекте лекций).

III. Тренировочные задания для подготовки к экзамену:

1. Тренировочные задания приведены в методических указаниях к самостоятельной работе

IY. Перечень учебной литературы (руководств, пособий) для подготовки к экзамену:

1.Перечень учебной литературы приведен в программе дисциплины.

Разработчик

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: