ТОР 5 статей: Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы КАТЕГОРИИ:
|
Свойства транзистора и усилительных каскадов при наличии двухполюсника в общем проводе.Включение в схему каскада сопротивления ZF вызывает появление внутрикаскадной обратной связи, которая снижает входную проводимость, повышает устойчивость параметров каскада по отношению к воздействию дестабилизирующих факторов, но при этом снижает коэффициент усиления по напряжению и мощности. В дальнейшем параметры и схемы, соответствующие ненулевому значению ZF, будем отмечать индексом "F". Так схемные построения будем соответственно обозначать ОЭF, ОКF и ОБF. Двухполюсник ZF удобно рассматривать как составную часть самого транзистора, имеющего измененные значения Y-параметров. В основной рабочей частотной области транзистора (f << fS) при резистивном характере двухполюсника ZF, когда ZF = RF, для всех схем включения транзистора g 11 F = (g 11 + RF D)/ F» g 11/ F; g 21 F = (g 21 – RF D)/ F» g 21/ F;(1) g 12 F = (g 12 – RF D)/ F» g 12; g 22 F = (g 22 + RF D)/ F» g 22/ F; где Δ = g11g22 – g12g21; F = 1 + (g 21 + g 11 + g 22 + g 12) RF, при этом для различных схем включения транзисторов выполняются соотношения Δоэ=Δок=Δоб; F оэ = F ои = 1 + (g 21 + g 11 + g 22 + g 12) RF» 1 + (g 21 + g 11) RF» 1 + g 21 RF; F ок = F ос = 1 + g 22 RF; F об = F оз = 1 + g 11 RF. Для биполярных транзисторов соотношение между g-параметров таково, что . Из этого соотношения следует, что наиболее заметное влияние на параметры транзистора и свойства схем ZF оказывает в основой схеме включения (при включениях ОЭ), существенно меньшее – в схемах повторителей тока (при включениях ОБ) и практически не сказывается в повторителях напряжения (при включениях ОК F ок » 1). Следует отметить, что включение в эмиттерную цепь дополнительного резистора RF линеаризирует передаточную ВАХ транзистора, расширяет область входных сигналов Uбэ, в пределах которой преобразование этих входных напряжений в выходной сигнальный ток можно считать линейным. Сквозная ВАХ эквивалентного транзистора (транзистора, неотъемлемой частью которого является резистор RF) имеет вид U бэ F = U бэ + I э0 RF = m UT ln(I э0/ I оэ) + I э0 RF, где U бэ F – напряжение база-эмиттер эквивалентного транзистора. В случаях, когда комплексным характером параметров транзистора или двухполюсника ZF пренебречь нельзя, приведенные соотношения (1)…(3) остаются в силе, за исключением того, что все или часть входящих в них данных приобретают комплексный характер. Например, на частотах f > fS вместо g-параметров транзистора следует использовать его Y-параметры, при этом ряд входящих в левую часть (1) … (3) результатов также приобретает комплексный характер.
Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:
|