ТОР 5 статей: Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы КАТЕГОРИИ:
|
Описание технологии изготовления микросхемы.Высшего профессионального образования АСТРАХАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра Электрооборудования и автоматики судов
Курсовая работа
по дисциплине «Физические основы электроники» На тему: «Расчет функционального устройства судовой автоматики на операционном усилителе». Вариант №11
Выполнил: ст.гр. ДТВ-31 Козаренко П.А. Принял: доцент. Климкин К.А
Астрахань 2011 г. Задание. Тип микросхемы: К544УД2А. Дифференциальнй усилитель U1=500..1200мВ U2=1200..500мВ
Расшифровка системы условных обозначений микросхемы К544УД2А.
Описание технологии изготовления микросхемы. Технология изготовления микросхемы операционного усилителя К544УД2А заключается в следующих основных технологических процессах: Фотолитография— это процесс получения на поверхности пластины требуемого рисунка. Поверхность полупроводника, маскированного оксидной пленкой, покрывают фоторезистором (светочувствительным слоем). Затем для обеспечения равномерности покрытия пластину помещают на центрифугу и сушат. После этого экспонируют поверхности ультрафиолетовым излучением через маску, на которой выполнен требуемый рисунок в виде прозрачных и непрозрачных участков. Участки фоторезистора, оказавшиеся освещенными, будут задублены, а с неосвещенных (незадубленных) участков фоторезистр удаляют специальным составом. Травление используют для того, чтобы с участков, не защищенных задубленным фоторезистором плавиковой кислотой, стравить диоксид кремния. В результате в оксидной пленке образуются окна, через которые и производится диффузия. Диффузия - это процесс, с помощью которого на поверхности или внутри пластины полупроводника получают р- или n -области путем введения акцепторных или донорных примесей. Проникновение примесей внутрь пластины полупроводника происходит за счет диффузии атомов, находящихся в составе паров, в атмосферу которых помещена нагретая до высокой температуры полупроводниковая пластина. Эпитаксией называют процесс выращивания одного монокристалла на грани другого. Полупроводниковые эпитаксиальные пленки могут быть получены различными способами: термическим испарением в вакууме, осаждением из парообразной фазы, распылением в газовом промежутке. Изменяя тип примеси и условия выращивания можно в широких пределах изменять электрические свойства эпитаксиальной пленки. Следует отметить, что процесс эпитаксии при изготовлении полупроводниковых элементов может заменить процесс диффузии. Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:
|