ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

Учебное пособие

Рекомендовано ученым советом Морского государственного университета

в качестве учебного пособия для студентов специальностей

230102.65 «Автоматизированные системы обработки информации и управления», 220203.65 «Автономные информационные и управляющие системы»,
240600 «Эксплуатация судового электрооборудования и средств автоматики», 090106.65 «Информационная безопасность телекоммуникационных систем», 010801.65 «Радиофизика и электроника»

Владивосток

УДК 530

Брунбендер, В. В. Физические основы электроники [Текст]: учеб. пособие / В. В. Брунбендер. – Владивосток: Мор. гос. ун-т, 2010. – 80 с.

Пособие содержит теоретический материал по структуре и проводимости кристаллов, контактных явлениях, вакуумной и твердотельной электронике. В пособии дано описание 12 лабораторных работ по курсу физических основ электроники. Приводятся данные о структуре электронных приборов и физических процессах, протекающих при их работе. Даны электрические схемы лабораторных установок и методики проведения физических экспериментов. К каждой работе прилагается перечень контрольных вопросов и список рекомендованной литературы.

Пособие написано с учетом требований государственного образовательного стандарта по курсу физических основ электроники для приведенных специальностей.

Предназначено для студентов информационно-технических, электротехнических и радиофизических специальностей вузов.

Ил. 72, табл. 22, библиогр. 36 назв.

Рецензенты:

В. Э. Осуховский, д-р физ.-мат. наук, профессор, заведующий кафедрой физики ТОВМИ им. С. О. Макарова;

А. В. Безвербный, д-р физ.-мат. наук, доцент,

ведущий науч. сотр. ИАПУ ДВО РАН

ã Брунбендер В. В.

ã Морской государственный университет

им. адм. Г. И. Невельского, 2010 г.

ВВЕДЕНИЕ

Физические основы электроники изучают процессы взаимодействия заряженных частиц (электронов и ионов) с электромагнитными полями и веществом в электронных приборах. В работе электронных приборов применяются различные среды – вакуум, ионизированный газ (плазма), твердые тела различной структуры и жидкости. В соответствии с названием сред, электронику подразделяют на составляющие части – вакуумную, плазменную, твердотельную и жидкостную. В настоящем пособии изучаются физические процессы в приборах вакуумной и твердотельной электроники. Пособие состоит из пяти разделов и приложения.

Первый раздел посвящается изучению свойств кристаллических твердых тел и контактов между ними. Рассматриваются вопросы: структура кристаллов, элементы зонной теории, токи в металлах и полупроводниках, контактные явления. Даны описания трех лабораторных работ: «1. Градуировка термопары»; «2. Исследование эффекта Холла в полупроводниковой пластинке»; «3. Исследование вольт-амперной характеристики p - n перехода».

Во втором разделе рассматриваются вопросы вакуумной электроники: термоэлектронная эмиссия; конструкция вакуумного диода; режимы работы вакуумного диода; протекание тока в вакуумном диоде в скрещенных электрическом и магнитном полях. Приводятся описания трех лабораторных работ: «4. Исследование вольт-амперной характеристики вакуумного диода»; «5. Определение температуры катода вакуумного диода»; «6. Изучение влияния магнитного поля на ток вакуумного диода».

В третьем разделе приводится описание структуры биполярных (БП) транзисторов, даны типы БП транзисторов и их схемы включения. Подробно рассмотрены режимы работы БП транзистора при схеме включения с общим эмиттером, даны характеристики БП транзистора. Приведены описания двух лабораторных работ: «7. Исследование входной характеристики биполярного транзистора»; «8. Исследование выходной характеристики биполярного транзистора».

В четвертом разделе дано описание структуры полупроводникового тиристора, приводятся типы тиристоров (управляемые и неуправляемые тиристоры), рассматриваются процессы включения тиристора в неуправляемом и управляемом режимах работы. Даны описания двух лабораторных работ: «9. Исследование работы управляемого тиристора»; «10. Исследование работы неуправляемого тиристора».

Пятый раздел посвящается изучению работы полевых транзисторов (ПТ). Рассматриваются процессы влияния электрического поля на проводимость слоя полупроводника, прилегающего к управляющему электроду. Приводятся основные типы ПТ с изолированным затвором (со встроенным и индуцированным каналом), также рассмотрена работа ПТ с управляющим p - n переходом. Даны описания двух лабораторных работ: «11. Изучение работы полевого МДП транзистора»; «12. Изучение работы полевого транзистора с управляющим p - n переходом».

РАЗДЕЛ 1

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: