Устройство и принцип действия МДП транзистора.

n – канальный транзистор

1 - подложка с малой концентрацией атомов

акцепторов N_a = 10¹⁵ ¸ 10¹⁶ см^-3,

2;8 - сильнолегированные области истока и стока

толщиной 0,5 –1,0 мкм.

3;5;7 - металлические электроды истока, затвора,

стока,

4 - диэлектрик,

6 - пространство между границами сильно леги- рованных областей истока и стока - область про-водящего канала – L толщиной менее 0,1мкм.

“ b ”- ширина областей истока и стока.

Движение электронов из истока через канал в сток соответствует положительному напряжению U_си.

Структура полевого транзистора симметрична – есть возможность взаимозаменять функции истока и стока.

Напряжение подложка-исток – нулевое или отри-цательное – что соответствует обратному напряжению p-n перехода подложка-исток.

Подложку можно использовать в качестве дополнительного управляющего электрода.

Принцип действия полевого транзистора основан на изменении величины концентрации электронов в канале (т.е. в инверсном слое) и соответственно величины проводимости канала при изменении поперечного электрического поля.

δL – ширина перекрытия подзатворной областью областей истока и стока – это делается для предотвращения появления неуправляемых зон в области канала, однако величина этого перекрытия должна быть минимальной.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: