Главная

Популярная публикация

Научная публикация

Случайная публикация

Обратная связь

ТОР 5 статей:

Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия

Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века

Ценовые и неценовые факторы

Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка

Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы

КАТЕГОРИИ:






Вимірювання ефекту Холу в неоднорідних напівпровідниках.




Характер неоднорідності в зразку також позначається на результаті вимірювання ефекту Холу. Оскільки будь-яку домішкову неоднорідність можна представити у вигляді набору східчастих переходів n-n+-или р-р+-типa, розглянемо холівський зразок, в якому має місце нерівність концентрацій в двох його частинах (n1n2 ), а холівські зонди розташовані безпосередньо на сходинці (рис.4.3). Вказана модель запропонована Біром.

Простий якісний аналіз цієї моделі показує, що навіть у відсутності зовнішнього магнітного поля в місці стрибка концентрацій виникає кільцевий закорочуючий струм, який впливає на результати холівських вимірювань.

Якщо прийняти, що в області граткового розсіяння m1 = m2 = m, простий розрахунок дає наступний вираз для зміряного значення холівської рухливості Rнs:

mэфф = m (4.6)

З цього виразу виходить виключно важливий висновок про те, що за наявності концентраційних градієнтів зміряна холівська рухливість завжди занижена

m эфф m (4.7)

 


 

 
 

Отримане співвідношення дозволило пояснити різнобій табличних значень рухливості, що приводяться різними авторами. Ці вимірювання у принципі не могли бути одноманітними, оскільки характер концентраційних градієнтів практично не відтворюється.

 

Рис. 4.3. Вимірювання ефекту Холу в зразку з східчастою неоднорідністю

 
 

(модель Біра)

 

Рис. 4.4. Модель виникнення об'ємно-градієнтних ЕРСв неоднорідному

напівпровіднику

Одночасно слід зазначити, що заниження рухливості на концентраційних градієнтах носить виключно ефективний характер і не пов'язане з розсіянням носіїв заряду на яких-небудь додаткових центрах.

Особливо гостро ця ситуація виявляється у високочистих напівпровідниках (зокрема, у високоомному кремнії з ПЕО >1 кOм×см), де градієнти концентрацій дуже високі. Через невисокі значення рухливості такі зразки часто трактують як компенсовані, тоді як вони по сумі домішок є чистими (але неоднорідними). Такий висновок призводить до помилкових технологічних рішень. Тому бажано до холівських вимірювань додатково

досліджувати однорідність зразків яким-небудь незалежним методом і наперед відбраковувати псевдокомпенсовані зразки.

Найбільш часто для цієї мети досліджують залежність Uн = f (н), яка для однорідних зразків повинна бути строго лінійною. За наявності нелінійності або істотного розкиду зразки, на яких це має місце, слід виключити з вимірювального процесу.

 






Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:

vikidalka.ru - 2015-2024 год. Все права принадлежат их авторам! Нарушение авторских прав | Нарушение персональных данных