Методи визначення концентрації електрично пасивних домішок

В напівпровідниках

До числа найважливіших електрично пасивних домішок, що впливають на роботу приладів, належать, в першу чергу, кисень і вуглець. Зміст цих домішок повинен бути строго лімітований, що знаходить своє віддзеркалення практично у всіх технічних умовах і стандартах на напівпровідникові матеріали.

Поведінка цих домішок багато в чому схоже, тому нижче ми розглядаємо фізичні основи різних методів визначення їх концентрації на прикладі домішки кисню в германії і кремнії.

Коли ми говоримо про електрично пасивні домішки, то маємо на увазі, що вони практично не створюють вільних носіїв заряду. Проте, вони можуть вплинути на поведінку вже присутніх в кристалі носіїв заряду, знижуючи їх рухливість за рахунок розсіяння на нейтральних домішках. Здавалося б, можна оцінювати зміст нейтральних домішок за рахунок зниження рухливості. Теорія, проте, показує, що, якщо навіть кисню в германії буде дуже багато, майже на межі його розчинності, т.е.~ 1017-1018 см-3^, то рухливість зменшиться всього на 4%_, і такий ''прямий'' метод повинен бути знехтуваний як украй малочутливий.

Тому на перший план висуваються методи визначення оптично активного кисню (вуглецю), тобто, розчиненого в кристалічних гратах і що не входить в комплекси, які засновані на дослідженні спектрів поглинання (пропускання) оптичного випромінювання ІК-діапазона.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: