Загальні відомості про концентрацію домішок і методи її визначення

Властивості напівпровідників однозначно визначаються електричною активністю і концентрацією що містяться в них домішок.

Звичайно вводять в розгляд декілька концентраційних параметрів:

- розподільча концентрація (Nd, N );

- сумарна концентрація (Nd+N );

- різницева концентрація (Nd-N );

де Nd і N - об'ємні концентрації донорних і акцепторних домішок, мають розмірність [см-3].

Представляється доцільним розділити методи визначення концентрації на три основні групи:

1. Традиційні физико-хімічні методи аналізу: хімічні, спектрографії, масс-спектрометричні, рентгено-спектральні, радіоактивації, електронно-мікроскопічні і інші. Ці методи обмежено застосовні, оскільки високий ступінь чистоти напівпровідників робить їх недостатньо чутливими. Іноді присутність і форма існування домішки в кристалі оцінюється за допомогою цих методів при аналізі проб, що спеціально збагатили, і супутніх процесів отримання напівпровідників, шлаків, нальотів і включень.

2. Еоектрофізичні методи: вимірювання провідності, часу життя, рухливості, ефекту Холу, різних гальваномагнітних, фотоелектричних і оптичних явищ і інш.

3. Спеціальні методи вимірювання концентрації електрично пасивних домішок типу кисню і вуглецю, серед яких найбільше застосування знайшли методи ІЧ-спектроскопії.

В практичній метрології напівпровідників домінуюче положення займають методи другої і третьої груп, яким і буде надана основна увага в подальшому.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: