Организация запоминающих массивов адресных ЗУ

Структура ЗМ типа 2D

Количество выходов дешифратора равно количеству слов в памяти (2n)

Структура применима только для малоразмерных ЗУ

Схема неприменима для больших ЗМ, так как громоздкий дешифратор создает задержку(очень большую). Каждый запоминающий элемент (ЗЭ) соединен с линиями выборки и считывания. Возбуждаем их – находим ЗЭ. На выходе БУС – слово данных

Структура ЗМ типа 3D

Адрес делится на две части (двухкоординатная выборка).
Количество выходов дешифраторов: 2n/2+2n/2

ЗЯ усложнилось – два разрешающих сигналов. Линии выборки и считывания – параллельны.

Структура ЗМ типа 2DM

Мультиплексоры позволяют выбрать один из 2n/2 разрядов каждом из запоминающих массивов

- Размеры массивов близки к оптимальным.
- Количество линий записи/считывания минимально.

Длина каждой строки больше длины слова (как правило 4 Кбит). Длина строки матрицы 2^k разрядов. Мультиплексер позволяет выбрать один из 2^k разрядов. Плюсы: меньше линий выборки чем в 3Д; геометрия 2ДМ ближе к квадрату по сравнению с 2Д.

Расслоение памяти

Блочное разделение адреса

Номер банка определяется старшей частью адреса.

Циклическое разделение адреса

Номер банка определяется младшей частью адреса

Блочно-циклическое разделение адреса

Блочно-циклический способ обеспечивает возможность пакетной передачи и ускоряет доступ при кучности адресов

Пример разделения адреса в SDRAM (PIII, P4)

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: