Микросхема статической памяти

- Структура SRAM типа 256Кх4

- Хранение 256 4-разрядных слов

- Адресная линия 18 бит

- Шина DI/DO 4 Бита

- Инф. Ёмкость 1МБ (256х4)

- Структура типа 3Д

4 матрицы, т.к. 4 бита

При записи не(CS) = не(WE)=L, активная линия W

При чтении: не(CS)=не(OE)=L, не(WE)= H, активная линия – R

Шины DO и DI совмещают в одну. Если работает один каскад буферных элементов, то другой отключен, и наоборот.

Если не(CS)=1 то схему привести в режим пониженного потребления энергии

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: