Динамические ЗУ с произвольной выборкой(DRAM)

1)DRAM для обращения по произвольным адресам

DRAM, RLDRAM

2)DRAM, оптимизированные для обращения по

последовательным адресам: FPM DRAM, EDO

DRAM, BEDO DRAM, SDRAM, DDR SDRAM,

RDRAM.

При выборке строки все Cз подключаются к линиям

считывания. После считывания необходимо

произвести обратную запись информации –

регенерацию. Заряд Cз = 10^5 – 10^6q.

Процесс считывания в DRAM.

В основе динамических ЗУ лежит конденсатор, в котором накапливается заряд.

Достоинства: малое количество транзисторов и конденсаторов (по 1 на одну ячейку), малые токи, малая площадь.

Недостатки: малая емкость конденсатора не позволяет хранить большой заряд. Это приводит к тому, что заряд необходимо восстанавливать(регенерация). Чтение информации разрушает ее.

При считывании необходимо зарядить линию до значения Uп или Uп/2.

При считывании 0, Сз заряжается через Сл; потенциал убывает. При считывании 1, Сл заряжается через Сз и потенциал возрастает.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: