Главная | Случайная
Обратная связь

ТОР 5 статей:

Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия

Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века

Ценовые и неценовые факторы

Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка

Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы

КАТЕГОРИИ:






Исследование полупроводниковых приборов




 

Цель работы:

Снятие вольт-амперных характеристик германиевого и кремниевого диода, стабилитрона, тиристора, транзистора, определение их параметров по характеристикам.

Порядок проведения лабораторной работы:

1.Исследование полупроводниковых приборов

- подключите исследуемый диод в блоке диодов;

- вставьте в разъём прибора блок диодов;

- включите переключатель «И2»;

- включите переключатель «Плюс», если необходимо получить прямую ветвь вольтамперной характеристики;

- включите переключатель «Минус», если необходимо получить обратную ветвь вольтамперной характеристики;

- включите переключатель «Плюс», «Минус», если необходимо получить обе ветви характеристики;

- ручкой регулятора источника тока прибора установите необходимое напряжение;

Окончив исследование, установите ручки переключателей и регулятора в исходное положение.

2.Исследование тиристоров

- управляющий электрод, анод и катод тиристора подключите соответственно к контактам ХS1, ХS2, ХS3 тиристорно-транзисторного блока;

- вставьте в разъём прибора тиристорно-транзисторный блок;

- включите переключатель «Плюс», если необходимо получить прямую ветвь вольтамперной характеристики;

- включите переключатель «Минус», если необходимо получить обратную ветвь вольтамперной характеристики;

- включите переключатель «Плюс», «Минус», если необходимо получить обе ветви характеристики.

Положение переключателей «Предел шкалы прибора» и положение регуляторов источника тока смещения и источника тока прибора устанавливают опытным путём.

Окончив исследование, установите ручки переключателей и регуляторов в исходное положение.

3.Исследование транзисторов

- подключите исследуемый транзистор в тиристорно-транзисторном блоке согласно табл. 1.

- вставьте в разъем характериографа транзисторно-тиристорный блок;

- положение переключателей характериографа установите согласно табл. 1;

- включите переключатель И1,И2;

- ручками регуляторов источника тока смещения и источника тока характериографа установите необходимые напряжение и ток. Получите вольт-амперную характеристику исследуемого транзистора.

Окончив исследование, установите ручки переключателей и регуляторов в исходное положение.

 

Таблица 1 Рекомендуемые способы подключения транзистора

Тип структуры транзистора Положение переключателей характериографа Коммутация контактов тиристоро-транзисторного блока
Пол. + - Инверсия ХS1 ХS2 ХS3
У Х ОБ ОЭ ОБ ОЭ ОБ ОЭ
p - n - p Вкл. Откл. Вкл. Вкл. Вкл. К/Э К/Б Э/К Б/К Б Э
n - p - n Откл. Вкл. Откл. Откл. Откл.

 

Примечание:

1. Слева от косой черты обозначения для исследования входных характеристик транзистора, включенного по схеме ОБ, ОЭ.

2. Справа от косой черты обозначения для исследования входных характеристик транзистора, включенного по схеме ОБ, ОЭ.




Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:

vikidalka.ru - 2015-2019 год. Все права принадлежат их авторам! Нарушение авторских прав | Нарушение персональных данных