Главная | Случайная
Обратная связь

ТОР 5 статей:

Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия

Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века

Ценовые и неценовые факторы

Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка

Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы

КАТЕГОРИИ:






Биполярлық транзистор




Биполярлық транзистор деп – электр тербелістерін күшейту мен генерация жасауға арналған және үш аймақтан тұратын, екі р-п асуы бар жартылай өткізгішті құралды айтады.

Биполярлық транзистор п-типті. Биполярлық транзистор р-типті.

Екі шеткі аймақтың әрқашан бірдей текті өткізгіштігі бар, ал ортадағы аймағында қарама-қарсы түрдегі өткізгіштігі болады. Шеткі аймақтарының электрондық өткізгіштігі, ал ортасында кемтік өткізгіштігі бар транзистор п-р-п түрлі транзистор деп атайды (3,32а-сурет), ал (3,32б-сурет) ортасының электрондық өткізгіші бар р-п-р түрлі транзисторлар деп атайды. Екі үлгілік транзисторда жүріп жататын физикалық үрдістер өте ұқсас, олардың арасындағы айырмашылықтары мысалы: олардың қоректендіру көздеріне қосылу полярлығы қарама-қарсы және де р-п-р үлгілі транзисторда кемтіктер, ал п-р-п үлгілі транзисторында электр тоғын негізінен электрондар түзеді. Р-п асулар бір-бірінен бөлінген шектес облыстар: эмиттер, база және коллектор деп аталады.

 

Эмиттер база коллектор Эмиттер база коллектор

 

р n р n р n

а) б)

Сурет 3,32

 

Эмиттер – заряд тасушылары п-р-п үлгілік транзисторда электрондар, ал р-п-п үлгілі транзисторда кемтіктерді шығаратын (эмитерлік) аймақ болып табылады. Коллектор – заряд тасушылары жинап алатын облыс. База – ортаңғы облыс (аймақ) негіз болады. Транзистор жұмыс істеуі кезінде сол жақтағы р-п асуының тура бағыттағы эмиттер – база кернеуі Uэқ беріледі. Электр өрісінің әсерінен сол жақтағы облыстан заряд тасушылардың көп бөлігі р-п асуынан басып өтіп енсіз ортаңғы аймаққа (базаға) өтеді. Заряд тасушылардың көп бөлігі одан әрі екінші ауысуға қарай қозғала отырып, оған жақындағаннан кейін, кернеу көзі Uэқк тудыратын электр өрісінің ықпалына түседі. Осы өрістің әсерінен заряд тасушы батарея Uэқ тізбегіндегі тоқты өсіріп, оң жақтағы облысқа (коллекторға) тартылып кіреді. Егер Uэ-б кернеуін өсірсек, онда эмиттерден базаға көшкен заряд тасушылардың саны өседі, яғни эмиттер тоғы -ға артады. Бұл жағдайда коллектор тоғы -ға артады. Базаға эмттерден кірген заряд тасушылардың шамалы бөлігі қарама-қарсы полярлықтағы еркін заряд тасушылармен рекомбинацияланады (бейтараптанады), олардың азаюын база тоғы Iб құрайтын сыртқы тізбектен келетін жаңа заряд тасушылар толықтырылып отырады. Сөйтіп коллектор тоғы Iк= Iэ-Iб эмиттер тоғынан шамалы ғана кіші болады. Uб-к=const болғанда а=DIk/DIэ қатынасы ток бойынша күшейту коэффициенті деп аталынады. а=0,9¸0,95.

Аз қуатты биполярлық транзистордың технологиялық құрылысы мен шартты белгісі 3,33.а, б-суретте көрсетілген.

 

 

а) б)

Сурет 3,33

 

п-р-п үлгілік және р-п-р үлгілік транзисторда тізбекке үш түрлі сұлбасы бойынша қосу мүмкіншілігі бар.

Транзисторда қосу сұлбасы өзінің қасиеттерімен өзгешеленеді, бірақ та тербелістерді күшейту принципі бәрінде бірдей болады. Мысалы: осы сұлбаны кірістік кернеу көзі ( ) база тізбегінде, ал қорек-тендіру көзі мен жүктеме кедергісі эмиттер тізбегіне қосылған. Кірістік ток болып, база тоғы , ал шығыстық -эмиттер тоғы болады. Осы сұлба үшін ток бойынша күшейту коэффициенті:

 

. (3,60)

 

Тізбектегі токтар мен кернеулер арасындағы тәуелділіктерді транзистордың (ВАС) вольт-амперлік сипаттамалары деп атайды.

Ортақ эмиттер сұлбасы бойынша қосылған р-п-р текті транзистордың статикалық сипаттамасы (3,34.а, б-сурет).

 

а) б)

 

Сурет 3,34. а) кіру; б) шығу

 

Транзистордың кемшілігі: жұмыс істеу тәртібі қоршаған ортаның температурасына тәуелділігі, шығыстық қуатының шамасы, артық жүктелуге сезімталдығы, параметрлерінің бытыраңқы болуы Rк мен Rш арасындағы елеулі айырмашы-лықтары болады.

 


Тарау IV

КҮШЕЙТКІШТЕР,




Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:

vikidalka.ru - 2015-2019 год. Все права принадлежат их авторам! Нарушение авторских прав | Нарушение персональных данных