![]() ТОР 5 статей: Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы КАТЕГОРИИ:
|
Оқшауланған затворы бар өрістік траназисторМеталл диэлектрик және жартылай өткізгіштен (МДЖ) тұратын транзисторлары индукциаланған немесе ендірілген арналы болуы мүмкін. Ендірілген арналы өрістік транзисторлар негізі ретінде р-текті микрокристалл Si -пластинкасы (төсеніші) пайдалынады. Исток пен сток зоналары n-текті қоспаларымен қанықтырылған. Затвор ретінде диэлектрик қабатымен оқшауланған металл пластина қолданылады. Исток пен сток арасында р-текті енсіз арна жасалады. Ендірілген n-текті арнаны диффузиялық әдісімен жасалады. Индукцияланған арнасы бар транзисторда диэлектрикпен бөлінген металл затворы мен n-текті шала өткізгіш материал жазық конденсатор құрады. Жұмыс істеу принципі: Затворда кернеу болмаған жағдайда сток пен исток арасындағы ток n -арнадағы кедергімен анықталады. Затворда теріс кернеу болмағанда арнадағы заряд тасушылардың концентрациясы азаяды да, онда сиретілген қабат пайда болады. Сондықтан сток пен исток арасындағы кедергі артып, транзистордың тоғы азаяды. Затвор оң кернеу болғанда, стоктың тоғы өседі, өйткені электрондар төсеніштер арнаға тартылады, яғни арна заряд тасушылармен байытылады. МДЖ транзисторлар – теріс те, оң да кернеумен және байытылған немесе сиретілген арнамен де жұмыс істей береді. Ал n-р асулары транзистор тек қана теріс кернеулі затвормен жұмыс істейді. Оқшауланған затворлы өрістік транзисторлардың Вольт-амперлік сипаттамасы (4,2.а, б-сурет) көрсетілген. Вольт-амперлік сипаттамалар тобының Өрістік транзисторлардың негізгі параметрлері, сипаттаманың тіктігі Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:
|