Главная | Случайная
Обратная связь

ТОР 5 статей:

Методические подходы к анализу финансового состояния предприятия

Проблема периодизации русской литературы ХХ века. Краткая характеристика второй половины ХХ века

Ценовые и неценовые факторы

Характеристика шлифовальных кругов и ее маркировка

Служебные части речи. Предлог. Союз. Частицы

КАТЕГОРИИ:






Импулсьтік электротұндыру әдісі




Кей металдар мен құймалар үшін наноматериалдар алу үшін импульстік электртұндыру әдісі өте тиімді, онда кристаллиттердің туындау жылдамдығы жоғары және адсорбциялық және десорбциялық ингибирлеуші процестер арқасында олардың өсу жылдамдығының төмен болуы қамтамасыз етіледі.

Практикада пленканы қолдану мен әр түрлі жабындылар жасауға деген қызығушылық, оларды тұндырудың жолдары пленканы импульсті күшті иондар шоғына негізделген абиляционды плазмадан алуға үлкен көңіл бөлуге әкелді. Импулльсті концентирленеген энергия ағындарының ішінде абиляционды плазманы тудыруға ( импульсті электрондар шоқтары, импульсті лазерлік сәулелендіру, импульсті плазмалық ағындар ) импульсті күшті иондар ағыны пайдаланылады. Металдар мен жартылайөткізгіштерге арналған иондар жүрістер (пробег) материалдың жылуөткізгіштігімен импульстің ұзақтығын анықтайтын жұтылатын энергия тереңдңгіне тең. Ол арқылы біз иондық шоқтармен тасымалданатын энергияның жоғары коэффициетін анықтайды. Бізге белгілі жұқа пленкаларды вакуумдық тұндыруда көптеген проблемалар кездеседі: нысана материалын пайдалануда төмен коэффициент, химиялық қасиеті күрделі пленкаларды алуда нысананың стехиометриялық қасиетін сақтай алмауы, тұңдыру жылдамдығының төмендігі. Осы проблемаларды импульсті күштік иондар шоғымен шеше аламыз. Әдістің ерекшклігі тұндыру абиляционды плазманың тығыздығын пайдалану арқылы жүреді. Сол арқылы оның айналасын таралуы(~105 см/с)жоғары. Аталған әдіс күн элементтерін GaAs материалы негізінде алуда кеңінен қолданады. Импульстік элктротұндыру әдісін наноталшықтарды алу өндірісінде қолданады.

15. CVD әдісі және анықтауыш факторлары CVD әдісі (химиялық газды фазалық тұндыру) бастапқы зат жеке камерада буланады, одан соң газдық фаза арқылы таңдап алынған төсенішке қажетті мөлшерде тұндырылады.Пленка синтезінің сұлбасы, CVD-әдісімен:

1 - реактор; 2 - төсеніш; 3 – бастапқы компонент салынған ыдыс; 4 – буды араластырғыш; 5 – Будың конденсаторы (зат буының конденсациясы үшін жылуалмасу аппараты); 6 – пеш 7 – газы бар баллондар;

8 – вакуумды сорғы Таңдалған төсеніште жұқа пленкалар алуға арналған құрылғының сұлбасында прекурсорларды булауға арналған сиымды ыдыспен, прекурсорлардың буын жіберу, қоспа газдары мен тасымалдағыш газдарды жіберу және айдау жүйесімен қамтылған төсеніші айналатын реактор бар.

Ұшқыш заттар ретінде, мысалы метал пленкасын алу үшін ұшқыш металдардың карбонилы, металлдардың алкил қоспасы және метал галогенидтері қолданылады. Бастапқы қосылыстың ыдырау процессі төсеніштің температурасымен, сонымен қатар газдық қоспа мен бу температурасымен анықталады. Төсеніштің температурасы төмен болған жағдайда, мысалы 130 - 190°С Fe(CO)5 үшін және 100 - 150°С Ni(CO)4 үшін пленканың өсуі карбонилдердің ыдырау жылдамдығымен анықталады, ~ 200° С температурада пленканың өсуі диффузионды аймаққа көшеді және баяулайды, өте жоғары температурада пленканың өсуі мүлде тоқтайды, өйткені прекурсор төсенішке жетпей ыдырайды. Реактордың ішінде тұрған төсеніштің қызуы электр тогын немесе жоғары жиіліктегі индукциялық токты өткізуінен, ИҚ сәулеленуінен және т.б.




Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском:

vikidalka.ru - 2015-2018 год. Все права принадлежат их авторам! Нарушение авторских прав | Нарушение персональных данных