ДИАГРАММА ФАЗОВОГО СОСТОЯНИЯ УГЛЕРОДА

И СИНТЕЗ АЛМАЗА

Анализ диаграммы фазового состояния углерода, а также условий синтеза алмазов и механизма их образования в различных спосо­бах производства имеет большое значение для решения вопросов о генезисе природных кристаллов алмаза. Первые достаточно обо­снованные теоретические расчеты кривой равновесия графит – ал­маз для диаграммы фазового состояния углерода были выполнены Ф. Д. Россини и Р. С. Джессопом (Rossini, Jessup, 1938), О. И. Лейпунским (1939), Р. Берманом и Ф. Симоном (Berman, Simon, 1955). Эти расчеты привели к решению проблемы синтеза алмазов. Первое сообщение в печати об успешном их синтезе в рас­плаве металлов из графита и углеродсодержащих веществ было сделано в 1955 г. (Bundy, Hall, Strong, Wentorf, 1955). Одновре­менно алмазы были синтезированы в Советском Союзе группой сотрудников Института физики высоких давлений АН СССР под руководством акад. Л. Ф. Верещагина, а также шведской фирмой ASEA (Allmanna Svenska Elektriska Aktiebol iget).

На основании экспериментальных данных по синтезу алмаза, а также определений температур плавления графита и алмаза (Bas­set, 1939; Bunciy, 1962, 1963; Alder, Christian, 1961)1.Ф. П. Банди (Bundy, 1962) была составлена полная диаграмма фазового со­стояния углерода (рис. 84). На этой диаграмме участок линии рав­новесия алмаз – графит от 0 до 1200° К построен по уравнению Бермана–Симона: отрезок от 1400 до 2800° К – по эксперимен­тальным данным о росте и графитизации алмаза; выше 2800° К произведена экстраполяция в соответствии с уравнением Берма­на–Симона. В связи с понижением температуры перехода ал­маз – жидкость по мере роста давления и по аналогии поведения антимонида индия, кремния и германия Ф. П. Банди предположил существование в области 600-700 кбар нового металлического' со­стояния углерода с плотностью на 15-20% выше плотности ал­маза. Эта новая фаза углерода недавно была синтезирована япон­ским ученым Каваи (Kawai, 1971; реф. в журнале IDR, v. 30, № 360, November, 1970).

Как видно из диаграммы углерода, алмазы могут быть получе­ны в очень широком интервале давлений и температур. К настоя щему времени разработано много методов синтеза алмазов. В за­висимости от способа производства алмазы синтезируются в раз­личных участках области их устойчивости, включая и метастабильную область. Известны следующие методы получения алма­зов, принципиально отличающиеся друг от друга условиями син­теза их кристаллов:

1. Синтез алмаза при высоких статических давлениях и темпе­ратурах из графита и углеродсодержащих веществ в расплавах металлов и их сплавов, играющих роль катализатора-растворите­ля. Для синтеза используются Ni, Fe, Co, Pt, Pd, Ru, Os, Ir, Re, Cr, Mn и Та. Температуры и давления в этом процессе колеблют­ся в широких пределах, что будет показано ниже. Запатентовано очень много различных способов синтеза алмаза этим методом, от­личающихся конструкцией аппаратуры, а также выбором метал­лов и сплавов-катализаторов добавлением разных примесей, вли­яющих на условия синтеза и качество кристаллов и их свойства. Алмазы, полученные этим методом, обычно имеют размеры от десятков микрон до 0,5-1 мм. Могут быть получены и более круп­ные кристаллы (до 6 мм), но они представляют собой параллель­ные сростки нескольких кристалликов, очень несовершенны и не пригодны для использования в технике в монокристальных инстру­ментах (сообщение в журнале The Gemmologist, v. 30, № 356 1961). Однако в 1970 г. Р. Т. Лиддикоут (Liddicoat, 1970) сообщил, что X. Строигом и Р. Венторфом были получены алмазы ювелир­ного качества (весом около одного карата) путем разращивания затравочных кристалликов алмаза в растворе – расплаве. Рас­плавом является никель, в котором растворялся алмазный поро­шок, и в связи с перепадом температур в системе углерод мигри­ровал из высокотемпературной области в более низкотемператур­ную, где помещался затравочный кристаллик. Скорость роста за­травки была порядка 2-3 мг в час; общее время, которое было затрачено для получения кристаллов весом до одного карата, бы­ло равно 100 час. Давления были ниже, чем при синтезе в системе графит – металл.

2. Синтез алмаза путем создания условий для прямого перехо­да графита в алмаз в присутствии или отсутствие металла-катали­затора. При этом используются высокие давления (300-400 кбар), создаваемые ударными волнами в результате взрыва (De Carli, Jamieson, 1961; Alder, Christian, 1961). Процесс протекает почти мгновенно в течение 1 мк сек, в результате адиабатического сжа­тия возникает высокая температура порядка 1300° К. Полученные алмазы представляют собой порошок, состоящий из зерен разме­ром около нескольких десятков микрон. При этом способе наряду с обычными алмазами, имеющими кубическую структуру, возни­кают так называемые гексагональные алмазы (лонсдейлит).

Б. Я. Олдер и Р. X. Кристиан отметили, что при 400-450 кбар при комнатной температуре происходит спонтанный переход гра­фита в алмаз. Были проведены эксперименты для исследования условий прямого перехода графита в алмаз и при статических дав­лениях (Bundy, 1962; Верещагин и др., 1965). Ф. П. Банди полу­чил алмазы из графита при давлениях 130 кбар и температуре 3300° К.

Л. Ф. Верещагин и др. показали, что металл-катализатор пу­тем диффузии в графит способствует переходу гексагональной мо­дификации графита в его ромбоэдрическую модификацию, кото­рая легко переходит в алмаз; при этом образовавшиеся кристал­лики алмаза ориентированы плоскостями {111} параллельно плос­кости (0001) графита, что свидетельствует о трансформации структуры графита в структуру алмаза в твердом состоянии.

3. Синтез алмазов с использованием окислительно-восстанови­тельных реакций, в процессе которых из углеродсодержащих сое­динений освобождается свободный углерод, кристаллизующийся в соответствующих условиях в алмаз. Успешные эксперименты по синтезу алмаза этим методом приведены В. С. Петровым (1967), использовавшим карбонаты, которые при высокой температуре восстанавливались до выделения из них свободного углерода си­ликатами и ильменитом.

4. Синтез алмазов путем гидролиза в растворах, состоящих из гидроуглеродистых галогенидов и щелочных металлов. Процесс протекает при атмосферном давлении и комнатной температуре: синтезированные алмазы имеют размер от 1 до 10 мк (патент DOS 1906 719; реф. в журнале IDR, № 5, 1971).

5. Синтез алмазов путем наращивания алмазных пленок на грани алмазных затравок при низких давлениях или в небольшом вакууме. В этом процессе углерод для образования алмазов полу­чается в результате диссоциации под влиянием высоких темпера­тур углеводородистых и других углеродсодержащих твердых, жид­ких и газообразных веществ. Один из способов получения алмазов этим методом был описан У. Дж. Эверсолом (Eversole, 1962)1:
эпитаксиальное наращивание тонких алмазных пленок на кри­сталл алмаза производилось им в процессе термической диссоциации углеродистого соединения при температуре около 1000° С и давлении 9 кбар. В этом процессе большую роль играют активные свойства поверхности кристалла, которые обусловливают рост ал­маза при низком давлении. Недостатком этого способа является то, что после наращивания тонкой пленки на чистую поверхность граней кристалла, последние покрываются черной сажистой плен­кой, которая препятствует дальнейшему росту алмаза. После уда­ления пленки рост возобновляется, но последовательно образован­ные алмазные пленки непрочно срастаются друг с другом, и вы­ращенные таким образом крупные кристаллы не могут быть ис­пользованы в ответственных монокристальных инструментах.

Группой советских исследователей под руководством Б. В. Дерягина был детально разработан способ автоэпитаксиального син­теза кристаллов алмаза (Дерягин и др., 1970), а также получения нитевидных алмазных кристаллов (усов), которые в условиях эк­сперимента представляют метастабильную форму углерода (Деря­гин и др., 1968, 1969).

Исходя из общегеологических условий формирования кимберлитовых алмазоносных месторождений в природе и данных по ми­нералогическому исследованию алмазов, можно сделать опреде­ленный вывод, что алмазы кристаллизуются в магматическом рас­плаве при высоких температурах и давлениях (см. главу X, посвя­щенную генезису алмаза). Из всех рассмотренных методов синте­за алмаза к природным условиям наиболее близким является ме­тод получения алмазов при высоких температурах и давлениях в системе графит – металл (катализатор – растворитель). В связи с этим рассмотрим более подробно условия синтеза алмазов этим методом и существующие представления о механизме их образо­вания.

Метод производства алмазов при статических давлениях и вы­соких температурах в системе графит +металлический катализатор наиболее детально разработан и является одним из основных ме­тодов, использующихся в настоящее время для синтеза алмазов в промышленном масштабе. Обычно используются так называемые переходные металлы VIII группы, которые обладают способно­стью растворять углерод, имеют наибольшую работу адгезии, в связи с чем значительно снижают поверхностную энергию алмаза на границе со смачивающим расплавом металла, что способству­ет образованию зародышей. Кроме того, они образуют твердые растворы с углеродом типа фаз внедрения в виде карбидов, ока­зывающих каталитическое воздействие на кристаллизацию углеро­да в структуре алмаза. Необходимые минимальные давления и температуры системы синтеза алмазов этим способом зависят от выбора металла-катализатора; они определяются по точке пересе­чения линии плавления каждого из выбранных металлов, насы­щенных углеродом, с линией равновесия графит – алмаз на фазо­вой диаграмме углерода. Так, например, для Ni, часто используе­мого для синтеза алмаза, эти параметры равны: Р = 52,5 кбар и Т = 1340° С (Strong, 1967). В работе А. А. Джиардини и

ТАБЛИЦА 26. Минимальные давления и температуры для синтеза алмаза в системе металл – графит (по Ciardini, Tydings, 1962)

Дж. Е. Тайдингса (Giardini, Tydings, 1962) приведена таблица минимальных Р и Т для синтеза алмаза при использовании раз­личных металлов (табл. 26).

Использование сплавов и примесных добавок различных метал­лов (Си, Аи, Ag, V, W, Mo), а также окислов свинца, металличе­ского кремния и карбида кремния в некоторых разработанных спо­собах синтеза алмаза значительно снижает необходимые для кри­сталлизации алмаза температуры и давления (до 38-40 кбар и 700° С).

Рядом исследователей было изучено влияние температуры на морфологию и качество кристаллов (Bovenkerk, 1961; Безруков и др., 1966, 1967). Выявлено, что при высоких температурах обра­зуются чистые, октаэдрические кристаллы, при понижении темпе­ратуры кристаллизуются кубооктаэдры и кубические кристаллы. Скорость роста кубических кристаллов более высокая, что приво­дит к захвату ими большого количества маточного расплава, со­стоящего из графита и металла-растворителя. При эксперимен­тальных работах было выяснено, что добавки разных примесей в состав растворителя также сильно влияют на морфологию, каче­ство и свойства алмазов.

Помимо синтеза монокристаллов, под руководством акад. Л. Ф. Верещагина был разработан способ получения поликристал­лических образований алмаза (Калашников и др., 1967). Совмест­но с сотрудниками кафедры химии высоких давлений МГУ нами было произведено сравнительное исследование этих поликристал­лических образований с природными балласами (Никольская и др., 1968). На основании тождественности их строения произве­дена идентификация синтезированных поликристаллических об­разований с балласами.

Относительно механизма образования алмазов в системе гра­фит – металл высказаны различные представления, которые име­ют интерес с точки зрения решения вопроса о генезисе природных алмазов. Сначала предполагали, что образование алмазов проис­ходит в расплаве металла, насыщенного углеродом, из-за различ­ной растворимости графита и алмаза в области стабильности по­следнего, так как в этих условиях расплав, насыщенный по отношению к графиту, пересыщен по отношению к алмазу, что вызы­вает его рост. Однако позднее было выявлено, что не во всех ме­таллах, растворяющих углерод, происходит образование алмазов. Так, например, при использовании РЬ и Sb, растворяющих угле­род, алмазы не возникают; в сплавах Си—Ni количество образую­щих алмазов прямо пропорционально содержанию никеля, хотя количество растворяющегося углерода в некоторых из этих спла­вов одинаково (Strong, 1963). Таким образом, было установлено, что некоторые металлы являются не только растворителями, но и катализаторами, оказывающими благоприятное воздействие на рост алмазов.

Вопрос о механизме образования алмазов в системе графит – металл подробно рассматривается в работе Джиардини и Тайдингса (Giardini, Tydings, 1962). Они пришли к выводу, что использу­ющиеся в качестве катализаторов металлы образуют ряд карби­дов с последовательным увеличением стехиометрического содержа­ния углерода. Последний в этом ряду, так называемый оконча­тельный карбид разлагается на карбид более бедный углеродом и углерод, который кристаллизуется в алмаз. Эта точка зрения была проверена Л. Ф. Верещагиным и др. (1970). На примере железа показано, что образующийся в процессе синтеза цементит Fe₂C, a затем в FeC, якобы разлагающийся на Fe₃C и С, в действительно­сти является устойчивым в условиях синтеза алмаза и выделяется одновременно с ним в виде сопутствующей фазы.

К. Лонсдейл и др. (Lonsdale et al., 1959) пришли к выводу, что при синтезе в системе графит – металл происходит эпитаксиальный рост алмаза на карбидах металлов в связи с их структурным изоморфизмом. Возможность эпитаксиального нарастания кубиче­ской модификации карбида кремния на грани (111) алмаза экспе­риментально была доказана А. В. Варшавским и Ю. Ф. Шульпя-ковым (1967), которые проводили опыты при давлениях порядка 60 кбар и температуре 1450-1500° С.

Интересные представления были высказаны Р. X. Венторфом (Wentorf, 1966). По его мнению, в расплаве различных металлов в результате растворения графита образуются нейтральные, отри­цательные или положительные частицы углерода. В промежуточ­ных металлах возникают положительные частицы, которые, по-ви­димому, являются благоприятными для кристаллизации углерода в структуре алмаза.

Вполне очевидно, что при различных способах синтеза алмаза могут быть и различные механизмы их роста, поэтому высказан­ные разные взгляды могут быть справедливы для того и другого случая. В природе кристаллизация алмаза происходит в очень сложном по химическому составу растворе-расплаве, в котором углерод находится в растворенном состоянии. Присутствие в маг­матическом расплаве щелочей, бора и других элементов может снизить температуру ere консолидации до 800-900° С. В связи с этим условия синтеза алмаза в расплавах металлов, обладающих высокой температурой плавления, очевидно, отличаются от природных процессов. Многие исследователи, занимавшиеся синтезом алмаза, высказывали мнение, что в природе процесс кристаллиза­ции алмазов протекает при более низких параметрах. Присутствие в природном магматическом расплаве многих металлов, оказываю­щих каталитическое воздействие, может благоприятствовать кри­сталлизации алмаза. Кроме этого, установленные факты эпитак­сиального срастания алмаза с другими минералами, находящими­ся в виде включений в алмазах, cвидeтeльcтвvют о том, что в не­которых случаях сингенетические алмазу минералы могут являть­ся центром их кристаллизации, что подтверждается исследовани­ем кристаллов алмаза.

Природный процесс кристаллизации алмазов значительно бо­лее сложный в отношении изменения условий роста, состава рас­плава и времени кристаллизации по сравнению со всеми извест­ными методами синтеза алмаза. Некоторые исследователи, зани­мавшиеся синтезом алмаза, иногда высказывались и о генезисе природных алмазов, механически перенося тот или другой метод, синтеза и его условия в природу. Однако без учета парагенезиса алмаза, результатов минералогического исследования их кристал­лов и общегеологических условий формирования алмазоносных пород этот вопрос решаться не может. С другой стороны, некото­рые геологи, высказываясь о генезисе алмаза не учитывали в-должной мере экспериментальные данные, что также приводило к ошибочным выводам. В следующей главе рассматриваются раз­личные гипотезы о происхождении алмазов в природе, показыва­ется несостоятельность некоторых из них и высказываются пред­ставления о характере процессов кристаллизации алмазов в раз­ных типах алмазоносных пород (эклогитах, пироповых перидоти­тах и кимберлитах).

Глава 10

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском: